深圳市鸿怡电子有限公司

为解决锂电池测试的痛点而生 大电流弹片微针模组
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QFN/DFN封装系列
  • QFN封装芯片测试座
  • QFN自动化ATE测试座
  • QFN封装芯片socket
  • 定制QFN16pin探针测试座
  • 定制QFN测试座
定制QFN16-0.8合金下压芯片测试座

封装适配：QFN16，引脚间距0.8mm   

工作温度-45℃~ +125℃（最高可支持 150℃） 

 接触电阻初始≤30mΩ（DC1A），老化后≤50mΩ   

绝缘电阻≥100MΩ（相邻引脚间）高绝缘性材料，避免高温下漏电、串扰   

耐压值：AC 500V RMS/1min满足电气安全测试要求   

机械寿命：≥100,000 次插拔（优质款≥15,000 次）探针结构耐用，适合批量老化测试 

 单针正向力：20g~30g / 针平衡接触可靠性与芯片受力，避免压伤芯片焊盘   

探针材质：铍铜 / 磷铜镀金（硬金厚度≥0.8μm）高耐磨、抗高温氧化，适配长期老化   

主体材质：PEEK/PEI/Torlon4203 高温工程塑料耐高温、低析出、抗变形，避免高温下污染芯片


鸿怡电子生产的QFN16pin-0.8mm-5*5mm芯片测试座产品介绍
适用规格 16-88pin，0.4、0.5、1.27引脚间距QFN/LCC封装的IC
支持频率 ≤300Mhz
温度范围 -45℃-125℃
操作力压 35g每pin，PIN越多需要压力越大
额定电流 单PIN1A
接触电阻 ≤100毫欧
绝缘电阻 DC500V1000兆欧以上
QFN/DFN封装、有的也称为LCC、翻盖式结构测试座
支持EEPROM，驱动器IC，电源IC等QFN封装,芯片测试座009系列.有翻盖式、旋钮翻盖式、双扣式、分离式结构、下压开窗结构适合自动机台


结构设计与关键特性

1. 核心结构

  • 探针阵列：16 路高精度镀金探针，精准对应 QFN16 芯片底部焊盘，0.8mm 微间距下保证对位精度（±0.02mm）中间接地采用铜块+探针的方式，能更好的接地同时，可以辅助散热。
  • 翻盖式 / 压合式结构：主流采用翻盖式（Clamshell）设计，通过杠杆原理实现均匀压合，操作便捷，保证芯片受力均匀；部分批量老化场景采用压合式结构。
  • 定位与导向：高精度定位柱 + 导向结构，确保芯片精准对位，避免偏位导致的接触不良；部分型号支持浮动探针设计，补偿芯片焊盘共面性误差。
  • 散热设计：窗口式（OPEN TOP）结构，保证芯片在老化箱中受热均匀，同时方便清洁弹片、检查接触状态。
  • 可维护性：弹片 / 探针可单独更换，降低长期使用成本，适合频繁老化测试场景。



QFN16pin-0.8mm芯片图纸


QFN16pin-0.8mm芯片图纸


QFN16pin-0.8mm芯片 测试座图纸

QFN16pin-0.8mm芯片 测试座图纸

QFN16pin-0.8mm 芯片测试座产品展示
  • QFN封装IC测试座QFN封装IC测试座
  • QFN16pin芯片测试socketQFN16pin芯片测试socket
  • QFP16pin芯片测试夹具QFP16pin芯片测试夹具
  • QFN16-0.8芯片测试socketQFN16-0.8芯片测试socket
  • 芯片测试夹具芯片测试夹具
  • 芯片测试座合金下压芯片测试座

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