深圳市鸿怡电子有限公司

为解决锂电池测试的痛点而生 大电流弹片微针模组
返回产品中心
QFN/DFN封装系列
  • DFN8老化座
  • DFN芯片老炼夹具
  • DFN测试座
  • DFN老化socket
  • burn-in socket
定制DFN8-0.4-1.6x1.6探针老化测试座socket

DFN8pin芯片测试座参数:

本体尺寸:1.6*1.6mm

中心引脚间距:0.0.4mm

Socket壳体:PEI

测试座结构:翻盖式

接触PIN针:双头镀金探针

最大电流:1A

使用温度:-45°C-+125°C

老化寿命:大于3000小时

销售工程师:黄小二13622364332,huang@hydz999.com

鸿怡电子生产定制的DFN8pin-0.4mm芯片老化测试座产品介绍
适用规格 适用于DFN封装晶圆、芯片、器件等
支持频率 ≤500Mhz
温度范围 -45℃-125℃
操作力压 35g每pin,PIN越多需要压力越大
额定电流 单PIN1A
接触电阻 ≤100毫欧
绝缘电阻 DC500V1000兆欧以上
QFN/DFN封装翻盖结构测试座
支持EEPROM,驱动器IC,电源IC等QFN封装,芯片测试座009系列.有翻盖式、旋钮翻盖式、双扣式、分离式结构、下压开窗结构适合自动机台
DFN8pin-0.4mm芯片规格参数

20250805114753000248/resource/images/ea06a8c0853649bb895fa7dd1d8d3864_14.jpg

DFN8pin-0.4mm 芯片老化测试座图纸

20250805114753000248/resource/images/ea06a8c0853649bb895fa7dd1d8d3864_16.jpg

DFN8pin-0.4mm 芯片老化测试座产品展示
  • 20250805114753000248/resource/images/ea06a8c0853649bb895fa7dd1d8d3864_18.jpgDFN8老化测试插座
  • 20250805114753000248/resource/images/ea06a8c0853649bb895fa7dd1d8d3864_20.jpgDFN8pin老化socket
  • 20250805114753000248/resource/images/ea06a8c0853649bb895fa7dd1d8d3864_22.jpgDFN8pin老练夹具
  • 20250805114753000248/resource/images/ea06a8c0853649bb895fa7dd1d8d3864_24.jpgDFN封装老化座
  • 20250805114753000248/resource/images/ea06a8c0853649bb895fa7dd1d8d3864_26.jpgburn-in socket
  • 20250805114753000248/resource/images/ea06a8c0853649bb895fa7dd1d8d3864_28.jpgDFN老化测试socket