定制LPDDR4-BGA200ball芯片测试治具-鸿怡电子

定制LPDDR4-BGA200ball芯片测试治具

绝缘阻抗：1000mΩ Min.At DC 500V

耐电压：For 1 Minute AtAC 700V

接触阻抗：100mΩ MAX。 at 10mA and 20mV MAX.(Initial)

额定电流：1A max/Pin

工作温度：-55°℃ ~+155°C

最高测试速率：5800Mhz(仅DDR5高速测试)

操作力：15~30g/Pin MAX

支持封装：LPDDR4/BGA200ball

手机存储芯片规格参数：P0.8mm-10*15mm

鸿怡电子生产定制的LPDDR4-BGA200ball手机内存颗粒芯片测试治具产品介绍

DDR Memory系列测试座：DDR为易失性存储器，分为SRAM和DRAM，其中DRAM又分为SDRAM和DDR_SDRAM，我们所说的DDR3、DDR4、LPDDR4、LPDDR5、DDR5等是属于DDR SDRAM。

台式主机上使用的，我们一般叫做内存条，学名DIMM，是多个DDR颗粒组成的模块。笔记本的内存条尺寸较小，我们一般成为SO-DIMM，服务器用的则是RDIMM和 UDIMM、LRDIMM。以上这些产品我们均有对应的老化测试座以及功能测试座和对应的测试治具。

LPDDR4-BGA200ball手机内存颗粒参数

LPDDR4-BGA200ball芯片图纸

LPDDR4-BGA200ball手机芯片测试治具图纸

LPDDR4-BGA200ball芯片测试治具图纸

LPDDR4-BGA200ball手机内存颗粒芯片测试治具产品展示