深圳市鸿怡电子有限公司

为解决锂电池测试的痛点而生 大电流弹片微针模组
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QFN/DFN封装系列
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  • DFN老化座夹具
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  • DFN多工位老化座
  • DFN老化座
定制64工位DFN4-1.8芯片测试座socket

DFN4-1.8mm封装测试座参数：

本体尺寸：3.55*3.75mm

中心引脚间距：1.8mm

Socket壳体：合金+PEEK

测试座结构：合金双扣

探针材料：铍铜

探针镀层：镍金

操作压力：2.0KGmin，与pin数成正比

接触阻抗：50mΩmax

耐压测试：700V AC for 1minute

绝缘阻抗：1000mΩ 500V DC

最大电流：1A

使用温度：-45°C-+150°C

机械寿命：大于15000次(机械测试)

鸿怡电子生产定制的DFN4-1.8（3.55*3.75）mm翻盖测试座（产品介绍）
适用规格 适用于DFN封装晶圆、芯片、器件等
支持频率 ≤300Mhz
温度范围 -45℃-150℃
操作力压 35g每pin，PIN越多需要压力越大
额定电流 单PIN1A
接触电阻 ≤100毫欧
绝缘电阻 DC500V1000兆欧以上
QFN/DFN封装翻盖结构测试座
支持EEPROM，驱动器IC，电源IC等QFN封装,芯片测试座009系列.有翻盖式、旋钮翻盖式、双扣式、分离式结构、下压开窗结构适合自动机台
DFN4-1.8（3.55*3.75）mm 芯片封装图纸

DFN4-1.8（3.55*3.75）mm 芯片封装图纸

DFN4-1.8（3.55*3.75）mm 合金双扣测试座 图纸

DFN4-1.8（3.55*3.75）mm 合金双扣测试座图纸

DFN4-1.8（3.55*3.75）mm 合金双扣测试座测试座 产品展示
  • DFN测试座
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