1、CP是把坏的Die挑出来，可以减少封装和测试的成本。可以更直接的知道Wafer 的良率。
2、FT是把坏的chip挑出来；检验封装的良率。
现在对于一般的wafer工艺，很多公司多把CP给省了；减少成本。CP对整片Wafer的每个Die来测试，而FT则对封装好的Chip来测试。CP Pass 才会去封装。然后FT，确保封装后也Pass。
3、WAT是Wafer Acceptance Test，对专门的测试图形（test key）的测试，通过电参数来监控各步工艺是否正常和稳定；
CP是wafer level的chip probing，是整个wafer工艺，包括backgrinding和backmetal（if need），对一些基本器件参数的测试，如vt（阈值电压），Rdson（导通电阻），BVdss（源漏击穿电压），Igss（栅源漏电流），Idss（漏源漏电流）等，一般测试机台的电压和功率不会很高；
FT是packaged chip level的Final Test，主要是对于这个（CP passed）IC或Device芯片应用方面的测试，有些甚至是待机测试；Pass FP还不够，还需要做process qual 和product qual。
CP 测试对Memory来说还有一个非常重要的作用，那就是通过MRA计算出chip level 的Repair address，通过Laser Repair将CP测试中的Repairable die 修补回来，这样保证了yield和reliability两方面的提升。
CP是对wafer进行测试，检查fab厂制造的工艺水平FT是对package进行测试，检查封装厂制造的工艺水平对于测试项来说，有些测试项在CP时会进行测试，在FT时就不用再次进行测试了，节省了FT测试时间；
但是有些测试项必须在FT时才进行测试（不同的设计公司会有不同的要求）一般来说，CP测试的项目比较多，比较全；
FT测的项目比较少，但都是关键项目，条件严格。但也有很多公司只做FT不做CP（如果FT和封装yield高的话，CP就失去意义了）。在测试方面，CP比较难的是探针卡的制作，并行测试的干扰问题。FT相对来说简单一点。
还有一点，memory测试的CP会更难，因为要做redundancy analysis，写程序很麻烦。CP在整个制程中算是半成品测试，目的有2个，1个是监控前道工艺良率，另一个是降低后道成本（避免封装过多的坏芯片），其能够测试的项比FT要少些。
CP不是制造（FAB）测的！而CP的项目是从属于FT的（也就是说CP测的只会比FT少），项目完全一样的；不同的是卡的SPEC而已；因为封装都会导致参数漂移，所以CP测试SPEC收的要比FT更紧以确保最终成品FT良率。
还有相当多的DH把wafer做成几个系列通用的die，在CP是通过trimming来定向确定做成其系列中的某一款，这是解决相似电路节省光刻版的最佳方案；所以除非你公司的wafer封装成device是唯一的，且WAT良率在99%左右，才会盲封的。
据我所知盲封的DH很少很少，风险实在太大，不容易受控。
WAT：wafer level 的管芯或结构测试
CP：wafer level 的电路测试含功能
FT：device level 的电路测试含功能
CP=chip probing
FT=Final Test
CP 一般是在测试晶圆，封装之前看，封装后都要FT的。不过bump wafer是在装上锡球，probing后就没有FT
FT是在封装之后，也叫“终测”。意思是说测试完这道就直接卖去做application。
CP用prober，probe card。FT是handler，socket
CP比较常见的是room temperature=25度，FT可能一般就是75或90度
CP没有QA buy-off（质量认证、验收），FT有CP两方面
1. 监控工艺，所以呢，觉得probe实际属于FAB范畴
2. 控制成本。Financial fate。我们知道FT封装和测试成本是芯片成本中比较大的一部分，所以把次品在probe中reject掉或者修复，最有利于控制成本。
